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鈣鈦礦鍍膜機

簡要描述:鈣鈦礦鍍膜機主要由有機/金屬源蒸發沉積室、真空排氣系統、真空測量系統、蒸發源、樣品加熱控溫、電控系統、配氣系統等部分組成。適用于制備金屬單質薄膜、半導體薄膜、氧化物薄膜、有機薄膜等,可用于科研單位進行新材料、新工藝薄膜研究工作,也可用于大批量生產前的試驗工作,廣泛應用于有機、無機、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、OLED等研究領域。

  • 產品型號:
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2025-05-30
  • 訪  問  量:3399

詳細介紹

品牌其他品牌價格區間1-5萬
產地類別國產

    鈣鈦礦鍍膜主要由有機/金屬源蒸發沉積室、真空排氣系統、真空測量系統、蒸發源、樣品加熱控溫、電控系統、配氣系統等部分組成。適用于制備金屬單質薄膜、半導體薄膜、氧化物薄膜、有機薄膜等,可用于科研單位進行新材料、新工藝薄膜研究工作,也可用于大批量生產前的試驗工作廣泛應用于有機、無機、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、OLED等研究領域。鈣鈦礦鍍膜機工作過程中樣品位于真空室上方,蒸發源位于真空室下方,向上蒸發鍍膜,且蒸發源帶有擋板裝置,防止蒸發源被污染。

產品名稱

鈣鈦礦鍍膜

主要特點

1、樣品位于真空室上方,蒸發源位于真空室下方,向上蒸發鍍膜,且蒸發源帶有擋板裝置。

2、設有烘烤加熱功能,可在鍍膜過程中加熱樣品,烘烤加熱溫度可達180℃。

3、設有斷水、斷電連鎖保護報警裝置及防誤操作保護報警裝置。

技術參數

1、鍍膜室:不銹鋼材料,采用方形前后開門結構,內帶有防污板,腔室尺寸約為600mm×

           450mm×450mm

2、真空排氣系統采用分子泵+機械泵系統

3、真空度鍍膜室極限真空6×10-4Pa

4、系統漏率:1×10-7Pa

5、蒸發源:安裝在真空室的下底上;有機蒸發源4個、容積5ml,2臺蒸發電源,可測溫、

           控溫,加熱溫度400℃,功率0.5KW;無機蒸發源4套、容積5ml,2臺蒸發電

           源,加熱電流300A,功率3.2KW;蒸發源擋板采用自動磁力控制方式控制其開

           啟

6、樣品架:安裝在真空室的上蓋上,可放置Ø120mm的樣品、載玻片,旋轉速度0-30rpm

7、加熱溫度:RT-180℃,測溫、控溫

8膜厚控制儀石英晶振膜厚控制儀,膜厚測量范圍0-999999Å

 

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